但团队还没有废弃对这些材料的研究。斯金纳在一项与此无关的研究中，观察到暴露在强磁场中的半导体产生了一种奇怪的效应。电子的运动轨迹在磁场影响下发生弯曲。斯金纳和梁富联想到：磁场会对拓扑半金属产生什么样的影响？

他们通过查阅文献，发现普林斯顿大学的一个研究小组为了充分表征一种名为铅锡硒化锡的拓扑材料，在2013年测量了它在磁场下的热电特性。研究人员报告说，他们在对这种材料的许多观察中发现，材料的热电发电量在35特斯拉的高磁场下增加了（作为比较，大多数MRI机器能够操作大约2至3特斯拉）。

斯金纳和梁富利用普林斯顿研究的材料特性，从理论上模拟了材料在一定温度和磁场条件下的热电性能。

斯金纳说：“我们最终发现，材料在强磁场下会发生一件有趣的事情：可以让电子和空穴向相反的方向移动。实现电子向冷边移动，空穴向热边移动，材料中同时存在这两种现象。只要磁场更强，原则上就可以从同一材料中得到越来越大的电压。”

他们在小组的理论模型指导下，计算了铅锡硒化物的ZT值，这个值表征了材料离通过热能产生电能的理论极限有多近。迄今为止已报道的最高效的材料的ZT值约为2。斯金纳和梁富发现，在大约30特斯拉的强磁场下，硒化铅锡的ZT值可以比最高效的热电材料高约5倍，达到10。

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