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第二百四十四章 制裁?那就搞X光刻机!

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【FBI突然出动,抓住了潜伏其内十年的卧底。】

【FBI抓住一名卧底,疑似华国人?】

【近日FBI抓住一名卧底,在庭审前日晚畏罪自杀】

【卧底自杀?还是另有原因!】

……

一条条相关的新闻,开始争抢起了各种头条。

这样的新闻,不得不引起人们的注意,卧底?

还有卧底畏罪自杀?

对于这样的消息,每个看到的人都感到震惊。

华国国内,在网络上讨论的人也很多,都不知道这个卧底是否真的是他们的人。

毕竟这些都只是从国外传出的消息,没有人知道详情。

而相比较这個政治上的事情,对于半导体界人来说,却更加关注另外一条消息。

国外的制裁技术又加上了几条,一条,准激光发射器。

这个东西,是光刻机光源中十分必要的一个部件。

其主要就是利用二氧化碳激光器发射出极高能的激光,输出超过30kW平均功率的激光束,脉冲峰值最高可达几兆瓦,然后如此高能的激光,击打在不断从上方滴下的锡珠上,然后使其发射出波长为13.5nm的极紫外光。

而想要在二氧化碳激光器上实现如此高的功率,普通的技术完全行不通,而华国当前的二氧化碳激光器在功率上并不能达到这种要求,而需要知道的是,这个功率,最终影响的就是EUV光源的实际功率。

如果EUV光源没有足够大的功率,对他们的影响,十分之大。

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